{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 9

Taikyti filtrai:

Pakuotė / Korpusas

Tranzistoriaus poliškumas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Technologijos

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Tranzistoriaus poliškumas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Technologijos
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor SGT070R70HTO STMicroelectronics 1: 8,57 € 335Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SGT070R70HTO „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT070R70HTO Naujas Produktas	STMicroelectronics	GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics sgt070r70hto transistor	Duomenų Lapas	335Prieinamumas	Pjaunama Juosta 8,57 € 4,72 € 4,41 € 3,74 € Ritė 3,74 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TO-LL-11			700 V	26 A	70 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	231 W	Enhancement	GaN
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor SGT080R70ILB STMicroelectronics 1: 6,16 € 880Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SGT080R70ILB „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT080R70ILB Naujas Produktas	STMicroelectronics	GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics sgt080r70ilb transistor	Duomenų Lapas	880Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,16 € 4,04 € 2,98 € 2,64 € 2,50 € Ritė 2,12 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	29 A	80 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	6.2 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement	GaN
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor SGT105R70ILB STMicroelectronics 1: 5,17 € 949Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SGT105R70ILB „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT105R70ILB Naujas Produktas	STMicroelectronics	GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics sgt powergan transistors	Duomenų Lapas	949Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,17 € 3,39 € 2,53 € 2,12 € Ritė 1,73 € Peržiūrėti 2,05 € 1,66 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	21.7 A	105 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	4.8 nC	- 55 C	+ 150 C	158 W	Enhancement	GaN
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor SGT140R70ILB STMicroelectronics 1: 4,36 € 900Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SGT140R70ILB „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT140R70ILB Naujas Produktas	STMicroelectronics	GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics sgt powergan transistors	Duomenų Lapas	900Prieinamumas	Pjaunama Juosta 4,36 € 3,11 € 2,34 € 2,25 € Peržiūrėti Ritė 1,62 € 1,91 € 1,62 € Pasiūlymas „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	17 A	140 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	113 W	Enhancement	GaN
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor SGT190R70ILB STMicroelectronics 1: 3,47 € 987Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SGT190R70ILB „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT190R70ILB Naujas Produktas	STMicroelectronics	GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics sgt powergan transistors	Duomenų Lapas	987Prieinamumas	Pjaunama Juosta 3,47 € 1,76 € 1,60 € 1,32 € Ritė 1,12 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	11.5 A	190 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ILB STMicroelectronics 1: 3,09 € 970Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SGT240R70ILB „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT240R70ILB Naujas Produktas	STMicroelectronics	GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics sgt powergan transistors	Duomenų Lapas	970Prieinamumas	Pjaunama Juosta 3,09 € 2,01 € 1,41 € Ritė 1,41 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 100 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	GaN
GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor SGT350R70GTK STMicroelectronics 1: 2,06 € 521Prieinamumas 2 500Tikėtina 2026-11-18 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SGT350R70GTK „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT350R70GTK Naujas Produktas	STMicroelectronics	GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics sgt350r70gtk transistor	Duomenų Lapas	521Prieinamumas 2 500Tikėtina 2026-11-18	Pjaunama Juosta 2,06 € 1,01 € 0,937 € 0,758 € Ritė 0,594 € Peržiūrėti 0,696 € 0,547 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 500	SMD/SMT	DPAK-3			700 V	6 A	350 mOhms	- 1.4 V, + 7 V	2.5 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	47 W	Enhancement	GaN
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ITK STMicroelectronics 1: 2,47 € 2 500Tikėtina 2027-02-12 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SGT240R70ITK „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT240R70ITK Naujas Produktas	STMicroelectronics	GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics sgt powergan transistors	Duomenų Lapas	2 500Tikėtina 2027-02-12	Pjaunama Juosta 2,47 € 1,22 € 1,10 € 0,886 € Ritė 0,738 € Peržiūrėti 0,853 € 0,705 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 500	SMD/SMT	DPAK-2	N-Channel	1 Channel	700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	77 W	Enhancement	GaN
GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor SGT65R65AL STMicroelectronics 3 000: 4,71 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	Gam. dalies Nr. SGT65R65AL „Mouser“ Dalies Nr. 511-SGT65R65AL	STMicroelectronics	GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm sgt65r65al transistors	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	Ritė 4,71 €	Min.: 3 000 Daugkart.: 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-4	N-Channel	1 Channel	650 V	25 A	65 mOhms	+ 6 V	1.8 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W		GaN-on-Si

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba