Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 102
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas

IXYS MOSFETs 110 Amps 250V 707Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds 366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs MOSFET Id180 BVdass100 510Prieinamumas
750Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET 265Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs 180A 250V 31Prieinamumas
250Tikėtina 2026-08-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 230A 200V 1Prieinamumas
300Tikėtina 2026-09-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A 46Prieinamumas
300Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds 141Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds 169Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100 18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A 56Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds 185Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds 55Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH 274Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds 810Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

IXYS MOSFETs 230A 200V 300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
290Tikėtina 2026-12-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 160A 300V 25Gamyklos turimos atsargos
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds 300Gamyklos turimos atsargos
Min.: 1
Daugkart.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds 650Gamyklos turimos atsargos
Min.: 1
Daugkart.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs MOSFET Id130 BVdass100 450Gamyklos turimos atsargos
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH 1 140Gamyklos turimos atsargos
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds 1 410Gamyklos turimos atsargos
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH 1 170Gamyklos turimos atsargos
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)