PSC20120x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Nexperia PSC20120x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are designed for ultra-high performance, low-loss, high-efficiency power conversion applications. The devices feature temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and an excellent figure-of-merit (QC x VF).

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Configuration Jei – tiesioginė srovė Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa Vf - tiesioginė įtampa Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė IR - Atvirkštinė Srovė Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Vr - atvirkštinė įtampa Pakavimas
Nexperia SiC SCHOTTKY diodai PSC20120J/SOT8018/TO263-2L 655Prieinamumas
Pjaunama Juosta
5,75 €
3,05 €
2,79 €
2,40 €
Ritė
2,40 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 710 A 1 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV Reel, Cut Tape
Nexperia SiC SCHOTTKY diodai PSC20120L/SOT8022/TO247-2L
450Tikėtina 2027-08-06
6,40 €
3,43 €
2,77 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 710 A 1 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV