{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BV_DSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 10

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H28SM3 Diodes Incorporated 1: 27,83 € 20Prieinamumas	Gam. dalies Nr. DMWSH120H28SM3 „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H28SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	20Prieinamumas	27,83 € 18,75 € 17,13 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H28SM4 Diodes Incorporated 1: 27,83 € 17Prieinamumas	Gam. dalies Nr. DMWSH120H28SM4 „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H28SM4	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	17Prieinamumas	27,83 € 18,75 € 17,37 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	173.7 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H28SM4Q Diodes Incorporated 1: 32,90 € 20Prieinamumas	Gam. dalies Nr. DMWSH120H28SM4Q „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H28SM4Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	20Prieinamumas	32,90 € 22,69 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	173.7 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H43SM3 Diodes Incorporated 1: 16,59 € 31Prieinamumas	Gam. dalies Nr. DMWSH120H43SM3 „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H43SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	31Prieinamumas	16,59 € 9,98 € 9,37 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	To-247-3	1 Channel	1.2 kV	72.7 A	43 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	105 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H90SM3 Diodes Incorporated 1: 10,78 € 78Prieinamumas	Gam. dalies Nr. DMWSH120H90SM3 „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H90SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	78Prieinamumas	10,78 € 6,11 € 5,66 € 5,50 € 5,27 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	- 55 C	+ 170 C	246 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H90SM3Q Diodes Incorporated 1: 13,30 € 60Prieinamumas	Gam. dalies Nr. DMWSH120H90SM3Q „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H90SM3Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	60Prieinamumas	13,30 € 7,66 € 7,12 € 7,08 € 6,88 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	- 55 C	+ 175 C	246 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H90SM4 Diodes Incorporated 1: 10,78 € 87Prieinamumas	Gam. dalies Nr. DMWSH120H90SM4 „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H90SM4	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	87Prieinamumas	10,78 € 6,11 € 5,50 € 4,93 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	- 55 C	+ 175 C	235 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H90SM4Q Diodes Incorporated 1: 13,30 € 60Prieinamumas	Gam. dalies Nr. DMWSH120H90SM4Q „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H90SM4Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	60Prieinamumas	13,30 € 7,66 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	- 55 C	+ 175 C	235 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H28SM3Q Diodes Incorporated 1: 33,23 € 120Gamyklos turimos atsargos	Gam. dalies Nr. DMWSH120H28SM3Q „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H28SM3Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	120Gamyklos turimos atsargos Daugiau Informacijos Suteikiama	33,23 € 21,74 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS DMWSH120H90SCT7 Diodes Incorporated 1: 8,85 € 100Gamyklos turimos atsargos	Gam. dalies Nr. DMWSH120H90SCT7 „Mouser“ Dalies Nr. 621-DMWSH120H90SCT7	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS Sužinokite Daugiau apie Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Duomenų Lapas	100Gamyklos turimos atsargos Daugiau Informacijos Suteikiama	8,85 € 5,81 € 4,91 € 4,68 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	38.2 A	90 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	54.6 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba