OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower RDS(on) and ~25% higher FOMQg x RDS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

Rezultatai: 14
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
3 842Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
3 859Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
4 198Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
4 783Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
3 364Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
2 829Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-08-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
3 951Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
3 960Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
3 839Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
4 113Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
5 000Tikėtina 2026-10-22
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
5 000Tikėtina 2026-10-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
5 000Tikėtina 2026-10-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Duomenų Lapas
4 000Tikėtina 2026-12-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape