TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBTs are the next generation of thin wafer IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that feature significantly lower conduction and switching losses compared to currently leading solutions. TRENCHSTOP 5 is designed for applications where switching >10kHz. The wafer thickness has been reduced by >25%, which enables a dramatic improvement in both switching and conduction losses, while providing a breakthrough voltage of 650V. This quantum leap in efficiency opens up new opportunities for designers to explore.

Rezultatai: 37
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Pakuotė / Korpusas Montavimo stilius Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa Didžiausia vartų emiterio įtampa Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C Pd - skaidos galia Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Serija Pakavimas
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 156Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 5Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 148 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 101Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 283Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
2 148Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
1 200Tikėtina 2026-10-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
240Tikėtina 2026-08-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 30 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 38 A 125 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 36 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 36 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 36 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube