|
|
MOSFETs 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
- FDMS7682
- onsemi
-
1:
1,04 €
-
127 449Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDMS7682
|
onsemi
|
MOSFETs 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
|
127 449Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- FDS86140
- onsemi
-
1:
4,14 €
-
10 914Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDS86140
|
onsemi
|
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
|
10 914Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 500
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
- FDT86244
- onsemi
-
1:
1,64 €
-
148 134Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDT86244
|
onsemi
|
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
|
148 134Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4 000
:
4 000
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai Small Signal Diode
- MMSD3070
- onsemi
-
1:
0,189 €
-
757 661Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-MMSD3070
|
onsemi
|
Mažų signalų perjungimo diodai Small Signal Diode
|
|
757 661Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 380
:
3 000
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai Hi Conductance Fast
- MMSD4448
- onsemi
-
1:
0,198 €
-
967 230Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-MMSD4448
|
onsemi
|
Mažų signalų perjungimo diodai Hi Conductance Fast
|
|
967 230Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 40V, 2A SCHOTTKY
- SS24FL
- onsemi
-
1:
0,378 €
-
333 010Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-SS24FL
|
onsemi
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 40V, 2A SCHOTTKY
|
|
333 010Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 60V 20A
- DST2060DJF
- Littelfuse
-
1:
2,47 €
-
18 334Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
576-DST2060DJF
|
Littelfuse
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 60V 20A
|
|
18 334Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 100V P-CH MOSFET
- DMP10H400SK3-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,13 €
-
125 981Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMP10H400SK3-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs 100V P-CH MOSFET
|
|
125 981Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 600
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai 800 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
- BYV26DGP-E3/73
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,53 €
-
39 002Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
625-BYV26DGP-E3/73
|
Vishay Semiconductors
|
Lygintuvai 800 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
|
|
39 002Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
- IAUS300N08S5N012ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,52 €
-
6 000Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IAUS300N08S5N012
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
|
|
6 000Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
- IDL10G65C5XUMA2
- Infineon Technologies
-
1:
3,87 €
-
8 081Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDL10G65C5XUMA2
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
|
|
8 081Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
IGBT TO268 2500V 2A IGBT
- IXBT2N250
- IXYS
-
1:
27,34 €
-
1 040Prieinamumas
-
30Tikėtina 2026-11-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXBT2N250
|
IXYS
|
IGBT TO268 2500V 2A IGBT
|
|
1 040Prieinamumas
30Tikėtina 2026-11-23
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MBLOC 200V 300A N-CH X3CLASS
- IXFN300N20X3
- IXYS
-
1:
44,27 €
-
558Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN300N20X3
|
IXYS
|
MOSFET moduliai MBLOC 200V 300A N-CH X3CLASS
|
|
558Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
- IXTA6N100D2
- IXYS
-
1:
9,37 €
-
3 588Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTA6N100D2
|
IXYS
|
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
|
|
3 588Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs TenchP Power MOSFET
- IXTP32P20T
- IXYS
-
1:
9,97 €
-
2 723Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTP32P20T
|
IXYS
|
MOSFETs TenchP Power MOSFET
|
|
2 723Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
- IXTX200N10L2
- IXYS
-
1:
35,82 €
-
3 555Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTX200N10L2
|
IXYS
|
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
|
|
3 555Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
- IXYN30N170CV1
- IXYS
-
1:
48,53 €
-
411Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXYN30N170CV1
|
IXYS
|
Igbt Moduliai 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
|
|
411Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
- SCS215KGC17
- ROHM Semiconductor
-
1:
11,25 €
-
2 550Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCS215KGC17
|
ROHM Semiconductor
|
SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
|
|
2 550Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
- TPH4R50ANH,L1Q
- Toshiba
-
1:
3,72 €
-
9 888Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TPH4R50ANHL1Q
|
Toshiba
|
MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
9 888Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
- TPW1500CNH,L1Q
- Toshiba
-
1:
3,30 €
-
14 803Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TPW1500CNHL1Q
|
Toshiba
|
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
|
|
14 803Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
- TGF2977-SM
- Qorvo
-
1:
51,89 €
-
1 377Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-TGF2977-SM
|
Qorvo
|
GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
|
|
1 377Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Lygintuvai 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM
- BY269TR
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,15 €
-
92 393Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-BY269
|
Vishay Semiconductors
|
Lygintuvai 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM
|
|
92 393Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
Lygintuvai 2.0 Amp 1500 Volt 30 Amp IFSM
- BY448TR
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,14 €
-
24 128Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-BY448
|
Vishay Semiconductors
|
Lygintuvai 2.0 Amp 1500 Volt 30 Amp IFSM
|
|
24 128Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
Lygintuvai 1000 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM
- BYV16-TAP
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,10 €
-
21 967Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-BYV16-TAP
|
Vishay Semiconductors
|
Lygintuvai 1000 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM
|
|
21 967Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
Lygintuvai 2.0 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM
- BYV27-100-TAP
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,41 €
-
19 554Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-BYV27-100-TAP
|
Vishay Semiconductors
|
Lygintuvai 2.0 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM
|
|
19 554Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|