|
|
Zinerio diodai ZENER DIODE SOD323
- GDZ2V0B-HE3_A08
- Vishay
-
1:
0,464 €
-
12 763Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-GDZ2V0B-HE3_A08
Naujas Produktas
|
Vishay
|
Zinerio diodai ZENER DIODE SOD323
|
|
12 763Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Zinerio diodai ZENER DIODE SOD323
- GDZ3V3B-HE3_A08
- Vishay
-
1:
0,43 €
-
11 250Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-GDZ3V3B-HE3_A08
Naujas Produktas
|
Vishay
|
Zinerio diodai ZENER DIODE SOD323
|
|
11 250Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
- VS-100BGQ030HN4
- Vishay
-
1:
7,19 €
-
275Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-100BGQ030HN4
Naujas Produktas
|
Vishay
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
|
|
275Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
- VS-100BGQ045HN4
- Vishay
-
1:
7,31 €
-
170Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-100BGQ045HN4
Naujas Produktas
|
Vishay
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky - POWIRTAB
|
|
170Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Zinerio diodai SOD-523 EUT SNGL PB FREE
- MM5Z3V9T5G
- onsemi
-
1:
0,232 €
-
15 465Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-MM5Z3V9T5G
Naujas Produktas
|
onsemi
|
Zinerio diodai SOD-523 EUT SNGL PB FREE
|
|
15 465Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
8 000
|
|
|
|
|
Lygintuvai REC SMB SPECIAL ULTFST
- NRVUS220VT3G-GA01
- onsemi
-
1:
0,86 €
-
9 569Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NRVUS220VT3GGA01
Naujas Produktas
|
onsemi
|
Lygintuvai REC SMB SPECIAL ULTFST
|
|
9 569Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs RH MOSFET 100V U3
- JANSR2N7587U3
- Microchip / Microsemi
-
1:
706,74 €
-
3Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-JANSR2N7587U3
|
Microchip / Microsemi
|
MOSFETs RH MOSFET 100V U3
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
- IXFN340N07
- IXYS
-
1:
59,89 €
-
440Prieinamumas
-
470Tikėtina 2027-04-19
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN340N07
|
IXYS
|
MOSFET moduliai HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
|
|
440Prieinamumas
470Tikėtina 2027-04-19
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
19,03 €
-
52Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-11-12
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDWD25G200C5XKSA
"Mouser Naujiena"
|
Infineon Technologies
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai SIC DISCRETE
|
|
52Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-12
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Varaktorius Diodes Variable capacitance diode for electronic tuning applications
- JDV2S42FS,L3M
- Toshiba
-
1:
1,53 €
-
5 193Prieinamumas
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-JDV2S42FSL3M
"Mouser Naujiena"
|
Toshiba
|
Varaktorius Diodes Variable capacitance diode for electronic tuning applications
|
|
5 193Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive Optocoupler, T/R + LF +IEC
- ACPL-K309T-560E
- Broadcom / Avago
-
1:
3,47 €
-
1 080Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
630-ACPL-K309T-560E
|
Broadcom / Avago
|
Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive Optocoupler, T/R + LF +IEC
|
|
1 080Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
- SIR626LDP-T1-UE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
2,67 €
-
3 342Prieinamumas
-
3 000Tikėtina 2026-11-26
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIR626LDP-T1-UE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
|
|
3 342Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-11-26
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
- PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
2,10 €
-
5 725Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
241-PSMQC060N06LS1AU
|
Panjit
|
MOSFETs 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
|
|
5 725Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
- SIR512DP-T1-BE3
- Vishay
-
1:
2,82 €
-
1 999Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIR512DP-T1-BE3
|
Vishay
|
MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
|
|
1 999Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT 1700V 3600A
- FZ3600R17HP4
- Infineon Technologies
-
1:
1 164,97 €
-
47Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FZ3600R17HP4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT 1700V 3600A
|
|
47Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs IFX FET 60V
- IQE022N06LM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,15 €
-
14 627Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-E022N06LM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs IFX FET 60V
|
|
14 627Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
- IXFT320N10T2
- IXYS
-
1:
22,45 €
-
945Prieinamumas
-
3 510Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFT320N10T2
|
IXYS
|
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
|
|
945Prieinamumas
3 510Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
945 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
60 Tikėtina 2026-12-14
1 650 Tikėtina 2026-12-21
1 800 Tikėtina 2027-01-25
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
22 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Balti šviesos diodai 2835 DFN2 0.5W White Silicone
- ASMW-LWG0-NDFHE
- Broadcom / Avago
-
1:
0,507 €
-
112 347Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
630-ASMW-LWG0-NDFHE
|
Broadcom / Avago
|
Balti šviesos diodai 2835 DFN2 0.5W White Silicone
|
|
112 347Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
200 000
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
- CGH40006S
- MACOM
-
1:
51,81 €
-
3 143Prieinamumas
-
800Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH40006S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
|
|
3 143Prieinamumas
800Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
200
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
- XP4NAR95CMT-A
- YAGEO XSemi
-
1:
1,84 €
-
2 989Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
603-XP4NAR95CMT-A
|
YAGEO XSemi
|
MOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
|
|
2 989Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CH 650V 10A TO-252
- XP65SL380DH
- YAGEO XSemi
-
1:
2,06 €
-
2 999Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
603-XP65SL380DH
|
YAGEO XSemi
|
MOSFETs N-CH 650V 10A TO-252
|
|
2 999Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 2A, 60V, DFN3820A TRENCH SKY RECT.
- V2NM63-M3/I
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,533 €
-
27 237Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
625-V2NM63-M3/I
|
Vishay Semiconductors
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 2A, 60V, DFN3820A TRENCH SKY RECT.
|
|
27 237Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
14 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 3A, 60V, DFN3820A TRENCH SKY RECT.
- V3NL63-M3/I
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,628 €
-
13 377Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
625-V3NL63-M3/I
|
Vishay Semiconductors
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 3A, 60V, DFN3820A TRENCH SKY RECT.
|
|
13 377Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
14 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 5A, 100V, DFN3820A TRENCH SKY RECT.
- V5N103-M3/I
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,731 €
-
23 548Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
625-V5N103-M3/I
|
Vishay Semiconductors
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 5A, 100V, DFN3820A TRENCH SKY RECT.
|
|
23 548Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
14 000
|
|
|
|
|
MOSFETs IFX FET 60V
- IPD038N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,38 €
-
3 328Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPD038N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs IFX FET 60V
|
|
3 328Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|