|
|
Gate Tvarkyklės 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
- 6ED003L02F2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,49 €
-
3 542Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-6ED003L02F2XUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
|
|
3 542Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės MOSFET POWER DRIVER
- IXDI630YI
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
8,59 €
-
1 388Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXDI630YI
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės MOSFET POWER DRIVER
|
|
1 388Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 7-CH, 50V/0.5A
- TBD62003AFG,EL
- Toshiba
-
1:
1,20 €
-
12 195Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62003AFGEL
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 7-CH, 50V/0.5A
|
|
12 195Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 7-CH, 50V/0.5A
- TBD62004AFWG,EL
- Toshiba
-
1:
0,998 €
-
2 843Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62004AFWGEL
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 7-CH, 50V/0.5A
|
|
2 843Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH, 50V/0.5A
- TBD62083AFG,EL
- Toshiba
-
1:
1,74 €
-
7 057Prieinamumas
-
21 010Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62083AFGEL
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH, 50V/0.5A
|
|
7 057Prieinamumas
21 010Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
7 057 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
10 Tikėtina 2026-10-26
21 000 Tikėtina 2027-02-15
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH, 50V/0.5A
- TBD62084AFWG,EL
- Toshiba
-
1:
1,55 €
-
4 741Prieinamumas
-
5 000Tikėtina 2026-12-21
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62084AFWGEL
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH, 50V/0.5A
|
|
4 741Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-12-21
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH 50V 0.05A
- TBD62183AFNG,EL
- Toshiba
-
1:
1,56 €
-
2 628Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62183AFNGEL
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH 50V 0.05A
|
|
2 628Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 7-CH 50V 0.5A
- TBD62304AFWG,EL
- Toshiba
-
1:
1,50 €
-
2 441Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62304AFWGEHZ
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 7-CH 50V 0.5A
|
|
2 441Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 7-CH 50V 0.5A
- TBD62304APG,HZ
- Toshiba
-
1:
2,17 €
-
2 070Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62304APGHZ
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 7-CH 50V 0.5A
|
|
2 070Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH 50V 0.5A
- TBD62381AFNG,EL
- Toshiba
-
1:
2,36 €
-
5 834Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62381AFNGEL
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH 50V 0.5A
|
|
5 834Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH 50V 0.5A
- TBD62381AFWG,EL
- Toshiba
-
1:
2,07 €
-
2 160Prieinamumas
-
8 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62381AFWGEHZ
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH 50V 0.5A
|
|
2 160Prieinamumas
8 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
2 160 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
3 000 Tikėtina 2026-11-17
5 000 Tikėtina 2027-01-22
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH 50V -0.5A
- TBD62785AFWG,EL
- Toshiba
-
1:
2,22 €
-
1 213Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TBD62785AFWGEHZ
|
Toshiba
|
Gate Tvarkyklės DMOS Transistor Array 8-CH 50V -0.5A
|
|
1 213Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- IXDI602D2TR
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
1,38 €
-
2 168Prieinamumas
-
4 000Tikėtina 2027-03-03
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI602D2TR
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
|
|
2 168Prieinamumas
4 000Tikėtina 2027-03-03
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- IXDI602SI
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
2,18 €
-
1 159Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI602SI
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
|
|
1 159Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- IXDI602SIATR
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
1,34 €
-
2 514Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI602SIATR
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
|
|
2 514Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 4A DUAL L-SIDE U-FST DRV 8-L
- IXDI604SI
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
3,18 €
-
749Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI604SI
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 4A DUAL L-SIDE U-FST DRV 8-L
|
|
749Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
- IXDI604SIA
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
1,77 €
-
4 481Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI604SIA
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
|
|
4 481Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
- IXDI609CI
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
3,43 €
-
1 509Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI609CI
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
|
|
1 509Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
- IXDI609SIATR
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
1,81 €
-
1 704Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI609SIATR
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
|
|
1 704Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
- IXDI614CI
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
5,32 €
-
959Prieinamumas
-
750Tikėtina 2027-02-18
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI614CI
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
|
|
959Prieinamumas
750Tikėtina 2027-02-18
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
- IXDI614SI
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
4,13 €
-
888Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI614SI
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
|
|
888Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
- IXDI614YI
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
5,07 €
-
2 806Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI614YI
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
|
|
2 806Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A
- IXDI630CI
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
8,80 €
-
250Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
849-IXDI630CI
|
IXYS Integrated Circuits
|
Gate Tvarkyklės 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A
|
|
250Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
- MC33151DG
- onsemi
-
1:
1,37 €
-
5 025Prieinamumas
-
3 430Tikėtina 2026-11-02
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-MC33151DG
|
onsemi
|
Gate Tvarkyklės 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
5 025Prieinamumas
3 430Tikėtina 2026-11-02
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 588
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
- MC33151VDR2G
- onsemi
-
1:
1,29 €
-
10 189Prieinamumas
-
5 000Tikėtina 2027-04-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-MC33151VDR2G
|
onsemi
|
Gate Tvarkyklės 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
10 189Prieinamumas
5 000Tikėtina 2027-04-16
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|