STGF6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF6M65DF2
STGF6M65DF2

Gam.:

Aprašymas:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

Eksploatacijos Laikotarpis:
Nebegaminamas
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: IGBT
Siuntimo apribojimai:
 Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
24.2 W
- 55 C
+ 175 C
STGF6M65DF2
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Nuolatinė kolektoriaus srovė, Ic Max: 12 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė: 250 uA
Gaminio tipas: IGBTs
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Transistors
Vieneto Svoris: 2 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

Prieinamumas

Turime sandėlyje: