Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SCTL35N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTL35N65G2V
Price: 15.65 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-SCTL35N65G2V

Mfr. #:

SCTL35N65G2V

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

SCTL35N65G2V Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics SCTL35N65G2V

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PowerFLAT-5
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	40 A
RDS On - Drain-Source Varža:	67 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5 V
Qg – vartų krūvis:	73 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	417 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	14 ns
Jautrus drėgmei:	Yes
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	35 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	16 ns
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vieneto Svoris:	180 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SCTL35N65G2V Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.

ATRINKTI PRODUKTAI

STMICROELECTRONICS

Automobilių klasės silicio karbido galios MOSFET

Sukurta naudojant pažangią ir naujovišką ST 2-os / 3-ios kartos SiC MOSFET technologiją.

Sužinokite Daugiau

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Features low R_DS(on) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance.

Sužinokite Daugiau

Silicon Carbide Power MOSFETs

Bring the advanced efficiency and reliability of wide bandgap materials to a broader range.

Sužinokite Daugiau

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

Combine a very low saturation voltage with a minimal collector current turn-off tail.

Sužinokite Daugiau

Peržiūrėti visus naujausius produktus nuo STMicroelectronics

Prieinamumas: 2 265

Turime sandėlyje:: 2 265 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 22 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 2265 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	15,65 €	15,65 €
	9,67 €	96,70 €
	9,15 €	9 150,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	9,15 €	27 450,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

SCTL35N65G2V

Gam.: STMicroelectronics

Aprašymas: SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac Užbaikite savo projektą

Specifikacijos

Dokumentai (4)

Duomenų Lapas

PCN

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

Silicon Carbide Power MOSFETs

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI STMICROELECTRONICS

Prieinamumas: 2 265

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Užbaikite savo projektą

ATRINKTI PRODUKTAI

STMICROELECTRONICS