Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SCT027W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027W65G3-4AG
Price: 14.24 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-SCT027W65G3-4AG

Mfr. #:

SCT027W65G3-4AG

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

SCT027W65G3-4AG Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	HiP-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	60 A
RDS On - Drain-Source Varža:	29 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.2 V
Qg – vartų krūvis:	51 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 200 C
Pd - skaidos galia:	313 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q100
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	17 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	8 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	600
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	31 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	17 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SCT027W65G3-4AG Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.

ATRINKTI PRODUKTAI

STMICROELECTRONICS

Automobilių klasės silicio karbido galios MOSFET

Sukurta naudojant pažangią ir naujovišką ST 2-os / 3-ios kartos SiC MOSFET technologiją.

Sužinokite Daugiau

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Features low R_DS(on) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance.

Sužinokite Daugiau

Silicon Carbide Power MOSFETs

Bring the advanced efficiency and reliability of wide bandgap materials to a broader range.

Sužinokite Daugiau

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

Combine a very low saturation voltage with a minimal collector current turn-off tail.

Sužinokite Daugiau

Peržiūrėti visus naujausius produktus nuo STMicroelectronics

Prieinamumas: 246

Turime sandėlyje:: 246 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 36 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	14,24 €	14,24 €
	10,87 €	108,70 €
	7,55 €	755,00 €
	6,42 €	3 852,00 €

SCT027W65G3-4AG

Gam.: STMicroelectronics

Aprašymas: SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A Užbaikite savo projektą

Specifikacijos

Dokumentai (4)

Duomenų Lapas

PCN

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

Silicon Carbide Power MOSFETs

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI STMICROELECTRONICS

Prieinamumas: 246

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Užbaikite savo projektą

ATRINKTI PRODUKTAI

STMICROELECTRONICS