MSC090SMA070S

Microchip Technology
494-MSC090SMA070S
MSC090SMA070S

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Microchip Technology MSC090SMA070S

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Microchip
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D3PAK-3
1 Channel
700 V
25 A
111 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
91 W
Enhancement
Prekės Ženklas: Microchip Technology
Configuration: Single
Pakavimas: Tube
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Gamyklinės pakuotės kiekis: 30
Subkategorija: Transistors
Tranzistoriaus poliškumas: N-Channel
Vieneto Svoris: 6,200 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Filipinai
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Prieinamumas: 177

Turime sandėlyje:
177 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
4,14 € 4,14 €
3,82 € 38,20 €
3,32 € 398,40 €
3,22 € 1 642,20 €

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimą? Prašome apsilankyti pagalbos centre.
Jei turite klausimų dėl konkretaus užsakymo, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidursite su kitomis problemomis, prašome susisiekti su mumis 800-346-6873 arba parašyti el. laišką adresu help@mouser.com.