ICPB2002-1-110I
Gam.:
Aprašymas:
GaN FET DC-12 GHz 12W Discrete GaN HEMT
- USHTS:
- 8541290055
- ECCN:
- EAR99
- Kilmės šalis:
- Ne
- Šalis, kurioje pagaminta:
- Ne
- Distribucijos šalis:
- Ne
Prieinamumas
-
Turime sandėlyje:
-
NėraĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Lietuva