Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

GTRA362002FC-V1-R0

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-GTRA362002FCV1R0

Mfr. #:

GTRA362002FC-V1-R0

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Eksploatacijos Laikotarpis:

Specialus užsakymas gamykloje:

Gaukite pasiūlymą, kad patikrintumėte esamą kainą, užsakymo įvykdymo laiką ir užsakymo reikalavimus gamintojui.

Duomenų Lapas:

GTRA362002FC-V1-R0 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie MACOM GTRA362002FC-V1-R0

Įspėjimas dėl siuntimo:

Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
Siuntimo apribojimai:	Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	H-37248C-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	150 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	4.1 A
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 225 C
Didžiausias darbinis dažnis:	3.6 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	3.4 GHz
Technologijos:	GaN
Prekės Ženklas:	MACOM
Gain:	13.5 dB
Išvesties Galia:	200 W
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	50
Subkategorija:	Transistors
Tranzistoriaus tipas:	GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	- 10 V to 2 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GTRA362002FC-V1-R0 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

5 G RF JFET ir LDMOS FET

MACOM 5G RF sandūros lauko tranzistoriai (JFET) ir horizontaliai išsklaidyti metalo oksido puslaidininkiai (LDMOS) FET yra termiškai patobulinti didelės galios tranzistoriai, skirti naujos kartos belaidžiam perdavimui. Šie prietaisai turi GaN ant SiC didelio elektronų judrumo tranzistoriaus (HEMT) technologiją, įvesties suderinamumą, veikia efektyviai ir termiškai pagerinta paviršinio montavimo pakuotę su junge be auselių. MACOM 5G RF JFET ir LDMOS FET puikiai tinka įvairių standartų mobiliojo ryšio galios stiprintuvams.