IPP65R090CFD7XKSA1

Name: Infineon IPP65R090CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-P65R090CFD7XKSA1
Price: 5.66 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-P65R090CFD7XKSA1

Mfr. #:

IPP65R090CFD7XKSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Eksploatacijos Laikotarpis:

NRND:

Nerekomenduojama naudoti naujiems projektams.

Duomenų Lapas:

IPP65R090CFD7XKSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IPP65R090CFD7XKSA1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	700 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	25 A
RDS On - Drain-Source Varža:	90 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.5 V
Qg – vartų krūvis:	53 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	127 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gaminio tipas:	MOSFETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	500
Subkategorija:	Transistors
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IPP65R090CFD7 SP005413363

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IPP65R090CFD7XKSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Kinija
Distribucijos šalis:: Vokietija

Šalis gali keistis siuntimo metu.

ATRINKTI PRODUKTAI

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

Sužinokite Daugiau

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Delivers superior performance to OptiMOS 5 via robust power MOSFET technology.

Sužinokite Daugiau

N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, & AI.

Sužinokite Daugiau

OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)].

Sužinokite Daugiau

N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 774

Turime sandėlyje:: 774 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 19 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,66 €	5,66 €
	2,96 €	29,60 €
	2,70 €	270,00 €
	2,29 €	1 145,00 €
	2,22 €	2 220,00 €

IPP65R090CFD7XKSA1

Gam.: Infineon Technologies

Aprašymas: MOSFETs HIGH POWER_NEW

Specifikacijos

Dokumentai (2)

Duomenų Lapas

Product Catalogs

Produktų ir prekybos sąlygos

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI INFINEON

Prieinamumas: 774

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

ATRINKTI PRODUKTAI

INFINEON