|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
- AFT05MP075GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
33,30 €
-
272Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFT05MP075GNR1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
|
|
272Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
TO-270-WBG-4
|
LDMOS FET
|
Si
|
136 MHz to 520 MHz
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18.5 dB
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
- STAC2942BW
- STMicroelectronics
-
1:
123,15 €
-
99Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STAC2942BW
|
STMicroelectronics
|
RD MOSFET tranzistoriai 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
|
|
99Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
STAC244B
|
|
Si
|
250 MHz
|
350 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
21 dB
|
Bulk
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
- MAX2601ESA+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
10,17 €
-
114Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
700-MAX2601ESA
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
RD dvipoliai tranzistoriai 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
|
|
114Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 91
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
Bipolar Power
|
Si
|
900 MHz
|
1 W
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Tube
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai RF Power Trans N-Channel
- PD55025TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
18,90 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-PD55025TR-E
|
STMicroelectronics
|
RD MOSFET tranzistoriai RF Power Trans N-Channel
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
|
|
Min.: 600
Daugkart.: 600
:
600
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-2
|
LDMOS FET
|
Si
|
500 MHz
|
25 W
|
|
+ 165 C
|
14.5 dB
|
Reel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
- STAC4932F
- STMicroelectronics
-
80:
98,02 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STAC4932F
NRND
|
STMicroelectronics
|
RD MOSFET tranzistoriai 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
|
|
Min.: 80
Daugkart.: 80
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
STAC244F
|
|
Si
|
250 MHz
|
1 kW
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
24.6 dB
|
Bulk
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
MACOM MAPRST0912-350
- MAPRST0912-350
- MACOM
-
20:
742,00 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
937-MAPRST0912-350
|
MACOM
|
RD dvipoliai tranzistoriai 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
|
|
Min.: 20
Daugkart.: 20
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
Ceramic
|
Bipolar Power
|
Si
|
1.215 GHz
|
|
|
+ 200 C
|
|
Tray
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
- STAC2942FW
- STMicroelectronics
-
1:
74,38 €
-
21Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STAC2942FW
Netinkama eksploatuoti
|
STMicroelectronics
|
RD MOSFET tranzistoriai 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
|
|
21Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
STAC244F
|
|
Si
|
250 MHz
|
350 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
21 dB
|
Bulk
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai RF BIP TRANSISTOR
- BGR 420 H6327
- Infineon Technologies
-
1:
1,12 €
-
2 343Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BGR420H6327
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai RF BIP TRANSISTOR
|
|
2 343Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar Power
|
Si
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
- MAX2602ESA+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
9,93 €
-
22Prieinamumas
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
700-MAX2602ESA
Ribotas Prieinamumas
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
RD dvipoliai tranzistoriai 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
|
|
22Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
Bipolar Power
|
Si
|
900 MHz
|
1 W
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Tube
|
|