TO-3P-3 Diskretieji Puslaidininkiai

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 138
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas
IXYS MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds 148Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds 128Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 109Prieinamumas
600Tikėtina 2026-12-18
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V 228Prieinamumas
300Tikėtina 2026-11-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors Lygintuvai Dual ultrafast power diode 474Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN TO-3P POWER TRANS 76Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) 4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds 12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 230V 15A
25 349Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3

Taiwan Semiconductor Lygintuvai 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier 319Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
537Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 40 Amps 500V
300Tikėtina 2026-12-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor NPN 230V 15A
1 600Tikėtina 2026-11-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200 W BETA AUDIO
2 991Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP 230V 15A
4 451Tikėtina 2026-10-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
26Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 800 Volt Vykdymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Mažų signalų perjungimo diodai 20 Amps 600V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 400V Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 29 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3