|
|
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
- IXTQ52P10P
- IXYS
-
1:
8,82 €
-
292Prieinamumas
-
300Tikėtina 2026-12-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ52P10P
|
IXYS
|
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
|
|
292Prieinamumas
300Tikėtina 2026-12-28
|
|
|
8,82 €
|
|
|
5,05 €
|
|
|
4,66 €
|
|
|
4,27 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
- IXTQ88N30P
- IXYS
-
1:
13,85 €
-
263Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ88N30P
|
IXYS
|
MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
|
|
263Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SA1943N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
3,43 €
-
2 519Prieinamumas
-
3 600Tikėtina 2026-11-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SA1943N(S1ES)
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
2 519Prieinamumas
3 600Tikėtina 2026-11-16
|
|
|
3,43 €
|
|
|
1,74 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
1,28 €
|
|
|
1,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SC5200N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
3,19 €
-
2 023Prieinamumas
-
2 825Tikėtina 2027-01-15
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SC5200N(S1ES)
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
2 023Prieinamumas
2 825Tikėtina 2027-01-15
|
|
|
3,19 €
|
|
|
1,79 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,21 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W
- NJW0281G
- onsemi
-
1:
3,80 €
-
1 206Prieinamumas
-
3 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW0281G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W
|
|
1 206Prieinamumas
3 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
1 206 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
1 350 Tikėtina 2026-08-25
1 650 Tikėtina 2027-06-25
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W
- NJW0302G
- onsemi
-
1:
3,84 €
-
2 539Prieinamumas
-
1 530Tikėtina 2027-06-11
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW0302G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 150W
|
|
2 539Prieinamumas
1 530Tikėtina 2027-06-11
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W TO-3P PNP
- NJW1302G
- onsemi
-
1:
5,08 €
-
5 666Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW1302G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W TO-3P PNP
|
|
5 666Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W PNP
- NJW21193G
- onsemi
-
1:
4,37 €
-
719Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW21193G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W PNP
|
|
719Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W NPN
- NJW21194G
- onsemi
-
1:
4,37 €
-
955Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NJW21194G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W NPN
|
|
955Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SA1943-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
4,97 €
-
281Prieinamumas
-
625Tikėtina 2026-08-21
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SA1943-OS1F
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
281Prieinamumas
625Tikėtina 2026-08-21
|
|
|
4,97 €
|
|
|
3,25 €
|
|
|
2,43 €
|
|
|
2,03 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,88 €
|
|
|
1,76 €
|
|
|
1,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SC5200-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
4,01 €
-
209Prieinamumas
-
600Tikėtina 2026-10-22
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-2SC5200-OS1F
|
Toshiba
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
209Prieinamumas
600Tikėtina 2026-10-22
|
|
|
4,01 €
|
|
|
2,29 €
|
|
|
1,87 €
|
|
|
1,53 €
|
|
|
1,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
IGBT 600V/30A DIS
- GT30J121(Q)
- Toshiba
-
1:
3,98 €
-
134Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-GT30J121(Q)
|
Toshiba
|
IGBT 600V/30A DIS
|
|
134Prieinamumas
|
|
|
3,98 €
|
|
|
2,63 €
|
|
|
2,06 €
|
|
|
1,52 €
|
|
|
1,51 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 50 Amp 1200 Volt
- BTW69-1200RG
- STMicroelectronics
-
1:
6,23 €
-
73Prieinamumas
-
4 200Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-BTW69-1200
|
STMicroelectronics
|
SCR 50 Amp 1200 Volt
|
|
73Prieinamumas
4 200Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
73 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 400 Tikėtina 2026-11-16
1 800 Tikėtina 2026-12-29
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių
|
|
|
6,23 €
|
|
|
3,60 €
|
|
|
3,01 €
|
|
|
2,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 40 Amp 600 Volt
- BTW69-600RG
- STMicroelectronics
-
1:
5,88 €
-
59Prieinamumas
-
3 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-BTW69-600
|
STMicroelectronics
|
SCR 40 Amp 600 Volt
|
|
59Prieinamumas
3 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
59 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
600 Tikėtina 2026-08-24
600 Tikėtina 2026-09-12
1 800 Tikėtina 2027-03-22
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių
|
|
|
5,88 €
|
|
|
3,36 €
|
|
|
2,81 €
|
|
|
2,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 120 Amps 300V
- DPG120C300QB
- IXYS
-
1:
11,76 €
-
28Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DPG120C300QB
|
IXYS
|
Mažų signalų perjungimo diodai 120 Amps 300V
|
|
28Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 200V
- DPG60C200QB
- IXYS
-
1:
7,52 €
-
8Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DPG60C200QB
|
IXYS
|
Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 200V
|
|
8Prieinamumas
|
|
|
7,52 €
|
|
|
4,37 €
|
|
|
3,67 €
|
|
|
3,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 300V
- DPG60C300QB
- IXYS
-
1:
7,79 €
-
9Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DPG60C300QB
|
IXYS
|
Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 300V
|
|
9Prieinamumas
|
|
|
7,79 €
|
|
|
4,23 €
|
|
|
3,89 €
|
|
|
3,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 400V
- DPG60C400QB
- IXYS
-
1:
8,35 €
-
30Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DPG60C400QB
|
IXYS
|
Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 400V
|
|
30Prieinamumas
|
|
|
8,35 €
|
|
|
4,49 €
|
|
|
4,26 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
- IXTQ110N10P
- IXYS
-
1:
8,57 €
-
69Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ110N10P
|
IXYS
|
MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
|
|
69Prieinamumas
|
|
|
8,57 €
|
|
|
4,63 €
|
|
|
4,36 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
- IXTQ14N60P
- IXYS
-
1:
6,25 €
-
220Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ14N60P
|
IXYS
|
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
|
|
220Prieinamumas
|
|
|
6,25 €
|
|
|
3,59 €
|
|
|
2,99 €
|
|
|
2,94 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
- IXTQ22N60P
- IXYS
-
1:
8,57 €
-
34Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ22N60P
|
IXYS
|
MOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
|
|
34Prieinamumas
|
|
|
8,57 €
|
|
|
5,56 €
|
|
|
4,36 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
- IXTQ26N50P
- IXYS
-
1:
8,57 €
-
412Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ26N50P
|
IXYS
|
MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
|
|
412Prieinamumas
|
|
|
8,57 €
|
|
|
5,05 €
|
|
|
4,36 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
- IXTQ36N30P
- IXYS
-
1:
6,43 €
-
366Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ36N30P
|
IXYS
|
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
|
|
366Prieinamumas
|
|
|
6,43 €
|
|
|
3,37 €
|
|
|
3,09 €
|
|
|
2,82 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
- IXTQ460P2
- IXYS
-
1:
7,49 €
-
130Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ460P2
|
IXYS
|
MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
|
|
130Prieinamumas
|
|
|
7,49 €
|
|
|
3,99 €
|
|
|
3,66 €
|
|
|
3,65 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
- IXTQ50N20P
- IXYS
-
1:
6,43 €
-
164Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ50N20P
|
IXYS
|
MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
|
|
164Prieinamumas
|
|
|
6,43 €
|
|
|
3,70 €
|
|
|
3,09 €
|
|
|
2,86 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
Lietuva
