Single SiC Puslaidininkiai

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
onsemi JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO 603Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Microchip Technology MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268 160Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SemiQ Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227 549Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD 834Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Vishay Semiconductors Pin Diodes Si CARBIDE DIODE 841Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO 411Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20

onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO 543Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 30


onsemi IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT 417Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 397Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 670Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Microchip Technology Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227 6Prieinamumas
176Tikėtina 2026-11-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Microchip Technology Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227 18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology 1 529Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology 882Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Microchip Technology MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227 33Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 758Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 440Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 436Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 975Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 306Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 189Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 230Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1