STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai

Rezultatai: 91
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Tranzistoriaus poliškumas Technologijos svar. – nuolatinio išleidimo srovė Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa RDS On - Drain-Source Varža Darbinis Dažnis Gain Išvesties Galia Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Pakavimas
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 45Prieinamumas
400Tikėtina 2026-10-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube


STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 35Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 15 dB 300 W + 200 C Screw Mount Tube


STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz 5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 15 dB 175 W + 200 C Screw Mount Bulk
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai N-Ch 65 Volt 5 Amp 3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243 Bulk


STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
1 025Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Bulk


STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
50Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Bulk
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
50Tikėtina 2026-11-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600
: 600

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai POWER R.F. Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai POWER R.F. Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600
: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF Power Trans N-Channel Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600
: 600

N-Channel Si 7 A 12.5 V 500 MHz 14.5 dB 25 W + 165 C SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai POWER R.F. Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600
: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai POWER R.F. Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600
: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai POWER R.F. Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 400
Daugkart.: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 400
Daugkart.: 400

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 400
Daugkart.: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600
: 600

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai POWER R.F. N-Ch Trans Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 400
Daugkart.: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai POWER R.F. N-Ch Trans Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600
: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 120
Daugkart.: 120
: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 300
: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 300
: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 160
Daugkart.: 160
: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Vykdymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel, Cut Tape