- 40 C SRAM

Rezultatai: 6 218
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis Organizavimas Prieigos laikas Didžiausias taktų dažnis Interface Type Maksimali Maitinimo Įtampa Maitinimo Įtampa - Min. Maitinimo Srovė - Maks. Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Kvalifikacija Pakavimas
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 31Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 2.3 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 72Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
Microchip Technology SRAM 4k, 5.0V EERAM IND 465Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Tube
Microchip Technology SRAM 16k, 5.0V EERAM EXT 375Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Tube
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 36Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M 7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 154Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM 929Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 256 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 32Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M 14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 675 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 204Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 34Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 32M 6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT 192Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
9 Mbit 256 k x 36 3.6 ns 166 MHz Parallel 2.6 V 2.4 V 510 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
GSI Technology SRAM 7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
144 Mbit 8 M x 18 375 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.02 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M 4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M 7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M 1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
72 Mbit 2 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 55Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Tube