NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Rezultatai: 1 613
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 115 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 72
Daugkart.: 72

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 165 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 205 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 225 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 135 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 120 mA, 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 105 mA, 115 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 115 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 72
Daugkart.: 72

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 165 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 205 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 225 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 66
Daugkart.: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 135 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray