NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Rezultatai: 1 613
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 4 M x 18 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 5.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 5.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 5.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 315 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 230 mA, 315 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 370 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 390 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray