|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,59 €
-
80Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ75R040M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
80Prieinamumas
|
|
|
9,59 €
|
|
|
6,78 €
|
|
|
5,64 €
|
|
|
5,03 €
|
|
|
4,70 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
- NVH4L070N120M3S-IE
- onsemi
-
1:
16,17 €
-
450Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H4L070N120M3S-IE
Naujas Produktas
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
|
|
450Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- IMZC120R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
40,81 €
-
5Prieinamumas
-
960Tikėtina 2027-06-10
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R007M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
|
|
5Prieinamumas
960Tikėtina 2027-06-10
|
|
|
40,81 €
|
|
|
28,84 €
|
|
|
25,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U07
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,67 €
-
1 559Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R022M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
|
|
1 559Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 50
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,36 €
-
1 832Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R026M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1 832Prieinamumas
|
|
|
13,36 €
|
|
|
9,43 €
|
|
|
7,63 €
|
|
|
7,09 €
|
|
|
6,71 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,72 €
-
255Prieinamumas
-
750Tikėtina 2026-08-13
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R040M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
255Prieinamumas
750Tikėtina 2026-08-13
|
|
|
10,72 €
|
|
|
7,18 €
|
|
|
5,84 €
|
|
|
4,91 €
|
|
|
4,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,45 €
-
335Prieinamumas
-
750Tikėtina 2026-10-08
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R053M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
335Prieinamumas
750Tikėtina 2026-10-08
|
|
|
8,45 €
|
|
|
5,66 €
|
|
|
4,25 €
|
|
|
3,94 €
|
|
|
3,90 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,87 €
-
856Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R078M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
856Prieinamumas
|
|
|
7,87 €
|
|
|
5,17 €
|
|
|
4,09 €
|
|
|
3,66 €
|
|
|
3,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,62 €
-
929Prieinamumas
-
1 800Tikėtina 2026-10-08
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R033M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
929Prieinamumas
1 800Tikėtina 2026-10-08
|
|
|
9,62 €
|
|
|
6,36 €
|
|
|
5,42 €
|
|
|
4,98 €
|
|
|
4,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
20,92 €
-
279Prieinamumas
-
2 000Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R010M2HXUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
279Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą
|
|
|
20,92 €
|
|
|
16,74 €
|
|
|
14,48 €
|
|
|
13,71 €
|
|
|
13,38 €
|
|
|
12,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMW65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
21,52 €
-
259Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R010M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
259Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMW65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,19 €
-
538Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-12-24
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R026M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
538Prieinamumas
240Tikėtina 2026-12-24
|
|
|
13,19 €
|
|
|
10,05 €
|
|
|
8,38 €
|
|
|
7,46 €
|
|
|
7,06 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMW65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,72 €
-
237Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R033M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
237Prieinamumas
|
|
|
10,72 €
|
|
|
7,29 €
|
|
|
6,96 €
|
|
|
5,87 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
25,94 €
-
498Prieinamumas
-
240Tikėtina 2027-06-10
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R012M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
|
|
498Prieinamumas
240Tikėtina 2027-06-10
|
|
|
25,94 €
|
|
|
17,14 €
|
|
|
15,04 €
|
|
|
14,88 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
19,31 €
-
609Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R017M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
|
|
609Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
14,69 €
-
451Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R026M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
|
|
451Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,34 €
-
1 001Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R034M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
|
|
1 001Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 70
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,58 €
-
739Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R053M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
|
|
739Prieinamumas
|
|
|
9,58 €
|
|
|
6,02 €
|
|
|
5,09 €
|
|
|
4,52 €
|
|
|
4,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA40N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
8,37 €
-
790Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA40N120L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
790Prieinamumas
|
|
|
8,37 €
|
|
|
5,74 €
|
|
|
4,33 €
|
|
|
4,10 €
|
|
|
4,10 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA80N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
12,32 €
-
760Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA80N120L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
760Prieinamumas
|
|
|
12,32 €
|
|
|
8,63 €
|
|
|
7,17 €
|
|
|
6,79 €
|
|
|
6,79 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH40N120L2KHV
- IXYS
-
1:
8,51 €
-
394Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH40N120L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
394Prieinamumas
|
|
|
8,51 €
|
|
|
5,72 €
|
|
|
4,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH80N120L2KHV
- IXYS
-
1:
12,79 €
-
292Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH80N120L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
292Prieinamumas
|
|
|
12,79 €
|
|
|
8,97 €
|
|
|
7,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T020A120H
- SemiQ
-
1:
10,82 €
-
209Prieinamumas
-
210Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T020A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
209Prieinamumas
210Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
209 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
90 Tikėtina 2026-08-03
60 Tikėtina 2026-08-07
60 Tikėtina 2026-08-10
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
4 Savaičių
|
|
|
10,82 €
|
|
|
6,49 €
|
|
|
6,48 €
|
|
|
5,59 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T040A120H
- SemiQ
-
1:
7,22 €
-
70Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T040A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
70Prieinamumas
|
|
|
7,22 €
|
|
|
4,90 €
|
|
|
4,17 €
|
|
|
3,29 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T080A120H
- SemiQ
-
1:
5,28 €
-
85Prieinamumas
-
120Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T080A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
85Prieinamumas
120Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
85 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
60 Laukiama
60 Tikėtina 2026-08-14
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
7 Savaičių
|
|
|
5,28 €
|
|
|
3,53 €
|
|
|
2,74 €
|
|
|
2,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
Lietuva
