|
|
LDO įtampos reguliatoriai
- XC6216D321JR-G
- Torex Semiconductor
-
1:
0,963 €
-
100Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
865-XC6216D321JR-G
|
Torex Semiconductor
|
LDO įtampos reguliatoriai
|
|
100Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
TRIAC 600V 4A Sensing 3-3-3-3mA
- L6004D3RP
- Littelfuse
-
1:
2,73 €
-
51Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
576-L6004D3RP
|
Littelfuse
|
TRIAC 600V 4A Sensing 3-3-3-3mA
|
|
51Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
TRIAC 400V 4A 25-25-25mA
- Q4004D4TP
- Littelfuse
-
1:
2,37 €
-
679Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
576-Q4004D4TP
|
Littelfuse
|
TRIAC 400V 4A 25-25-25mA
|
|
679Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai LDO 1.5A CMOS
- MCP1827S-2502E/EB
- Microchip Technology
-
1:
1,61 €
-
140Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MCP1827S2502E/EB
|
Microchip Technology
|
LDO įtampos reguliatoriai LDO 1.5A CMOS
|
|
140Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Linijiniai įtampos reguliatoriai 3-Term Pos Reg 0.5A 1.2V 35V
- NJM78M12SDL1-TE1
- Nisshinbo
-
1:
0,937 €
-
273Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
513-NJM78M12SDL1-TE1
|
Nisshinbo
|
Linijiniai įtampos reguliatoriai 3-Term Pos Reg 0.5A 1.2V 35V
|
|
273Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai LDO BJT HiCurr TO252
- AZ1084CD-2.5TRG1
- Diodes Incorporated
-
1:
0,413 €
-
1 670Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-AZ1084CD-2.5TRG1
|
Diodes Incorporated
|
LDO įtampos reguliatoriai LDO BJT HiCurr TO252
|
|
1 670Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
- MJD31CHQ-13
- Diodes Incorporated
-
1:
0,998 €
-
15Prieinamumas
-
5 000Tikėtina 2026-11-27
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-MJD31CHQ-13
|
Diodes Incorporated
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
|
|
15Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-11-27
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai Power Diode Discretes-Rectifier TO-252D
- DMA10IM1200UZ-TUB
- IXYS
-
1:
2,54 €
-
50Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DMA10IM1200UZTUB
|
IXYS
|
Lygintuvai Power Diode Discretes-Rectifier TO-252D
|
|
50Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai
- XC6216D331JR-G
- Torex Semiconductor
-
1:
0,963 €
-
850Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
865-XC6216D331JR-G
|
Torex Semiconductor
|
LDO įtampos reguliatoriai
|
|
850Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas SMART LW SIDE PWR 42V 3.5A
Infineon Technologies BTS3134D
- BTS3134D
- Infineon Technologies
-
1:
2,00 €
-
1 615Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BTS3134D
|
Infineon Technologies
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas SMART LW SIDE PWR 42V 3.5A
|
|
1 615Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Linijiniai įtampos reguliatoriai 3-Term Pos Reg 0.5A 1.5V 35V
- NJM78M15SDL1-TE1
- Nisshinbo
-
1:
0,937 €
-
2 426Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
513-NJM78M15SDL1-TE1
|
Nisshinbo
|
Linijiniai įtampos reguliatoriai 3-Term Pos Reg 0.5A 1.5V 35V
|
|
2 426Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
- IKD10N60RATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,67 €
-
2 293Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IKD10N60RATMA1
|
Infineon Technologies
|
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
|
|
2 293Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai Power Diode Discretes-Rectifier TO-252D
- DMA10IM1600UZ-TUB
- IXYS
-
1:
2,71 €
-
1 285Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DMA10IM1600UZTUB
|
IXYS
|
Lygintuvai Power Diode Discretes-Rectifier TO-252D
|
|
1 285Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
- R6504END3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,07 €
-
1 375Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-R6504END3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
|
|
1 375Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
- R6509KND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,37 €
-
4 925Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-R6509KND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
|
|
4 925Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs TO252 800V 2A N-CH
- R8002CND3FRATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
3,41 €
-
2 807Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-R8002CND3FRATL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs TO252 800V 2A N-CH
|
|
2 807Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai RECT 30V 3A SM SKY BARRI
- RB098BGE-30TL
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,24 €
-
2 490Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RB098BGE-30TL
|
ROHM Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai RECT 30V 3A SM SKY BARRI
|
|
2 490Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky Barrier Diode 30V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low VF
- RBR10BGE30ATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,89 €
-
1 417Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RBR10BGE30ATL
|
ROHM Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky Barrier Diode 30V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low VF
|
|
1 417Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
- RD3L150SNFRATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,05 €
-
1 536Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RD3L150SNFRATL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
|
|
1 536Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 4A 100V 12.5W NPN
- MJD243G
- onsemi
-
1:
1,08 €
-
4 122Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-MJD243G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 4A 100V 12.5W NPN
|
|
4 122Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 300
|
|
|
|
|
Linijiniai įtampos reguliatoriai 3-Term Pos Reg 0.5A 9.0V 35V
- NJM78M09SDL1-TE1
- Nisshinbo
-
1:
0,937 €
-
2 815Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
513-NJM78M09SDL1-TE1
|
Nisshinbo
|
Linijiniai įtampos reguliatoriai 3-Term Pos Reg 0.5A 9.0V 35V
|
|
2 815Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas HITFET SMART LOWSIDE PWR SW
- BTS3104SDLATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,61 €
-
785Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BTS3104SDLATMA1
|
Infineon Technologies
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas HITFET SMART LOWSIDE PWR SW
|
|
785Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 50V 3A 10W TO-252(DPAK)
- 2SCR573D3FRATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,06 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 40 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-2SCR573D3FRATL
|
ROHM Semiconductor
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 50V 3A 10W TO-252(DPAK)
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 40 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai 500mA Sec. Fixd Out for Local Pwr Spples
- BD18KA5FP-E2
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,09 €
-
2 157Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BD18KA5FP-E2
|
ROHM Semiconductor
|
LDO įtampos reguliatoriai 500mA Sec. Fixd Out for Local Pwr Spples
|
|
2 157Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 40V Vr; 10A Io TO-252 SBD
- RB085BGE-40TL
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,69 €
-
1 614Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RB085BGE-40TL
|
ROHM Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 40V Vr; 10A Io TO-252 SBD
|
|
1 614Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|