|
|
LDO įtampos reguliatoriai 1.8V 0.5A Positive
- LF18CDT-TR
- STMicroelectronics
-
1:
1,17 €
-
4 164Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-LF18CDT-TR
|
STMicroelectronics
|
LDO įtampos reguliatoriai 1.8V 0.5A Positive
|
|
4 164Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
TRIAC 400V 4A 10-10-10mA
- Q4004D3RP
- Littelfuse
-
1:
2,35 €
-
11 568Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
576-Q4004D3RP
|
Littelfuse
|
TRIAC 400V 4A 10-10-10mA
|
|
11 568Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas SMART LW SIDE PWR 42V 2.4A
- BTS118D
- Infineon Technologies
-
1:
1,82 €
-
1 415Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BTS118D
|
Infineon Technologies
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas SMART LW SIDE PWR 42V 2.4A
|
|
1 415Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas HITFET SMART LOWSIDE PWR SW
- BTS3046SDR
- Infineon Technologies
-
1:
2,04 €
-
5 855Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BTS3046SDR
|
Infineon Technologies
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas HITFET SMART LOWSIDE PWR SW
|
|
5 855Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas HITFET SMART LOWSIDE PWR SW
- BTS3104SDR
- Infineon Technologies
-
1:
1,64 €
-
9 888Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BTS3104SDR
|
Infineon Technologies
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas HITFET SMART LOWSIDE PWR SW
|
|
9 888Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas SMART LW SIDE PWR 42V 4.6A
- BTS3142DATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,19 €
-
5 004Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BTS3142DATMA1
|
Infineon Technologies
|
Maitinimo Jungiklių Integriniai Grandynai - Maitinimo Paskirstymas SMART LW SIDE PWR 42V 4.6A
|
|
5 004Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai LOW DROPOUT REGULATOR
- TLE4284DVATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,29 €
-
4 274Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TLE4284DVATMA1
|
Infineon Technologies
|
LDO įtampos reguliatoriai LOW DROPOUT REGULATOR
|
|
4 274Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai Voltage Regulator
- TLE4284DVXT
- Infineon Technologies
-
1:
2,26 €
-
1 374Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TLE4284DVXT
|
Infineon Technologies
|
LDO įtampos reguliatoriai Voltage Regulator
|
|
1 374Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
- IXFY30N25X3
- IXYS
-
1:
8,00 €
-
660Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFY30N25X3
|
IXYS
|
MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
|
|
660Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS PNP DPAK 30V
- 2SAR582D3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,02 €
-
3 073Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-2SAR582D3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS PNP DPAK 30V
|
|
3 073Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs TO252 600V 6A N-CH MOSFET
- R6006PND3FRATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,80 €
-
3 765Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-R6006PND3FRATL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs TO252 600V 6A N-CH MOSFET
|
|
3 765Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs TO252 800V 3A N-CH MOSFET
- R8003KND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,80 €
-
7 581Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-R8003KND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs TO252 800V 3A N-CH MOSFET
|
|
7 581Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai RECT 40V 5A SM SKY BARRI
- RB075BGE40STL
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,98 €
-
2 261Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RB075BGE40STL
|
ROHM Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai RECT 40V 5A SM SKY BARRI
|
|
2 261Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs Nch 100V 17.5A TO-252 (DPAK)
- RD3P175SNTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,97 €
-
4 529Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RD3P175SNTL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs Nch 100V 17.5A TO-252 (DPAK)
|
|
4 529Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 0.5A 300V 15W PNP
- MJD350T4G
- onsemi
-
1:
1,08 €
-
16 025Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-MJD350T4G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 0.5A 300V 15W PNP
|
|
16 025Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 500
:
2 500
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai LDO Voltage Reg
- NJM2391DL1-03-TE1
- Nisshinbo
-
1:
0,929 €
-
358Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
513-NJM2391DL103-TE1
|
Nisshinbo
|
LDO įtampos reguliatoriai LDO Voltage Reg
|
|
358Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai 75dB 45uVrms 500mA 1.0uF 3.3V 1190mW
- NJM2885DL1-33-TE1
- Nisshinbo
-
1:
1,24 €
-
377Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
513-NJM2885DL133-TE1
|
Nisshinbo
|
LDO įtampos reguliatoriai 75dB 45uVrms 500mA 1.0uF 3.3V 1190mW
|
|
377Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 65V Vr 20A Io SBD TO-252(DPAK) 10A
- RBQ20BM65AFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,70 €
-
1 597Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RBQ20BM65AFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 65V Vr 20A Io SBD TO-252(DPAK) 10A
|
|
1 597Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai Fast Recvry 200V Vr TO-252(DPAK) 5A Io
- RFN5BM2SFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,28 €
-
2 636Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RFN5BM2SFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
Lygintuvai Fast Recvry 200V Vr TO-252(DPAK) 5A Io
|
|
2 636Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai 4A 200V Hyperfast 23ns FRED Pt
- VS-4EWH02FN-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,71 €
-
2 426Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-4EWH02FN-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Lygintuvai 4A 200V Hyperfast 23ns FRED Pt
|
|
2 426Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai 100mA 5V LOW DROPOUT
- NCV2931ADT5.0RKG
- onsemi
-
1:
0,576 €
-
3 613Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCV2931ADT5.0RKG
|
onsemi
|
LDO įtampos reguliatoriai 100mA 5V LOW DROPOUT
|
|
3 613Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
LDO įtampos reguliatoriai 75dB 45uVrms 800mA 1.0uF 2.5V 1W
- NJM2845DL1-25-TE1
- Nisshinbo
-
1:
1,26 €
-
1 697Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
513-NJM2845DL125-TE1
|
Nisshinbo
|
LDO įtampos reguliatoriai 75dB 45uVrms 800mA 1.0uF 2.5V 1W
|
|
1 697Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Lygintuvai Recovery Diode 200V TO-252 6A Io 0.9V Vf
- RFN6BM2DFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,48 €
-
2 015Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RFN6BM2DFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
Lygintuvai Recovery Diode 200V TO-252 6A Io 0.9V Vf
|
|
2 015Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai Rectifier 6A Io TO-252 400VVrm
- RR601BM4SFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,64 €
-
2 523Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-RR601BM4SFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
Lygintuvai Rectifier 6A Io TO-252 400VVrm
|
|
2 523Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
- IKD15N60RATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,96 €
-
16 250Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IKD15N60RATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
|
|
16 250Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|