TO-247-4 Puslaidininkiai

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
279Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
Duomenų Lapas
61Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Duomenų Lapas
150Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Duomenų Lapas
529Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
Duomenų Lapas
180Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
Duomenų Lapas
153Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
215Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
225Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
183Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
126Prieinamumas
240Tikėtina 2026-10-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
118Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Duomenų Lapas
87Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi JFETs UF3N120007K4S
Duomenų Lapas
1 115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Duomenų Lapas
540Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
168Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Duomenų Lapas
615Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Duomenų Lapas
554Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Duomenų Lapas
1 387Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Duomenų Lapas
197Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Duomenų Lapas
961Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Duomenų Lapas
687Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A
Duomenų Lapas
546Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 450

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
Duomenų Lapas
550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1