TO-247-4 Puslaidininkiai

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
Duomenų Lapas
224Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Duomenų Lapas
321Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi IGBT IGBT 1200V 40A UFS
Duomenų Lapas
257Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Duomenų Lapas
330Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Duomenų Lapas
1 674Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Duomenų Lapas
166Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
220Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Duomenų Lapas
669Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT
Duomenų Lapas
346Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi IGBT FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Duomenų Lapas
321Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
202Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
266Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
152Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
342Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi IGBT FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L IGBT STAND-ALONE (LOW COST)
Duomenų Lapas
448Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45

onsemi IGBT FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST)
Duomenų Lapas
435Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Duomenų Lapas
439Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Duomenų Lapas
422Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Duomenų Lapas
439Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45

ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Duomenų Lapas
529Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
279Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
Duomenų Lapas
61Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1