18 GHz Puslaidininkiai

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB 100Prieinamumas
Min.: 100
Daugkart.: 100

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10


MACOM Pin Diodes CW=3Watts Recovery time 15ns 400Prieinamumas
Min.: 100
Daugkart.: 100
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
10Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

Analog Devices Prescaler InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz 521Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Analog Devices Prescaler InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 518Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

MACOM Pin Diodes 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2 620Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Analog Devices Prescaler InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 344Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

Analog Devices Prescaler InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750Tikėtina 2026-09-15
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

Analog Devices Prescaler InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz Vykdymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Vykdymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 50

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

Microchip Technology Pin Diodes Si Limiter Hermetic Microstrip Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Ne
Analog Devices Prescaler InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 14
Daugkart.: 14
Ne
Analog Devices Prescaler InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 20
Daugkart.: 20
Ne
MACOM MA4L011-134
MACOM Pin Diodes Diode,Pin,Chip,Oxide Vykdymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100