HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Rezultatai: 719
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Duomenų Lapas
276Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 26 Amps 1200V
Duomenų Lapas
246Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 32 Amps 1000V 0.32 Rds
Duomenų Lapas
275Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 64A
Duomenų Lapas
367Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Duomenų Lapas
729Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds
Duomenų Lapas
415Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Duomenų Lapas
218Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
257Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
150Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 78 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 147 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
Duomenų Lapas
366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 5.8 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 132 nC - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Duomenų Lapas
268Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
Duomenų Lapas
1 303Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
Duomenų Lapas
293Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
476Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC 500 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
660Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
239Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 14A
Duomenų Lapas
172Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 360Amps 55V
Duomenų Lapas
165Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 100 Amps 40V
Duomenų Lapas
280Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
Duomenų Lapas
76Prieinamumas
300Tikėtina 2027-07-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 42A N-CH TRENCH
Duomenų Lapas
124Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 130Amps 200V
Duomenų Lapas
213Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 16 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 14A
Duomenų Lapas
130Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube