HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Rezultatai: 719
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
1 444Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
3 498Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Duomenų Lapas
1 138Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Duomenų Lapas
1 693Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
Duomenų Lapas
8 813Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET
Duomenų Lapas
1 138Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
Duomenų Lapas
94Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Duomenų Lapas
1 528Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
Duomenų Lapas
262Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 660 mOhms 30 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A
Duomenų Lapas
597Prieinamumas
120Tikėtina 2026-09-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 350 mOhms 30 V 5.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
Duomenų Lapas
468Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
231Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarHT HiperFET 100v, 170A
Duomenų Lapas
1 244Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 80A
Duomenų Lapas
388Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
886Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Duomenų Lapas
318Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Duomenų Lapas
502Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
Duomenų Lapas
244Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 520 mOhms 30 V 5 V 86 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 36A
Duomenų Lapas
625Prieinamumas
480Tikėtina 2026-11-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
Duomenų Lapas
284Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
260Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms 20 V 4.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
Duomenų Lapas
495Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Duomenų Lapas
149Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
283Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Duomenų Lapas
1 295Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube