{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TP65H035G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H035G4YS 650V SuperGaN® Field Effect Transistor (FET) is a 35mΩ gallium nitride (GaN) FET offered in a four-lead TO-247 package. This normally off-device uses Renesas Electronics's Gen IV platform and combines a high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET, resulting in superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform utilizes advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. The platform also improves efficiency over silicon via lower gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. This four-lead TP65H035G4YS SuperGaN device can be used as an original design-in option or as a drop-in replacement for four-lead silicon and SiC solutions supporting power supplies at 1kW and up. Ideal applications for the Renesas Electronics 650V SuperGaN FET include datacom, industrial, PV inverters, and servo motors.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 3

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Tranzistoriaus poliškumas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas	Technologijos
GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L TP65H035G4YS Renesas Electronics 1 200: 4,66 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP65H035G4YS „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H035G4YS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių	4,66 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 200 Daugkart.: 600	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46.5 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.6 V	42.7 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL TP65H050G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 3,78 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP65H050G4QS-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H050G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių	Ritė 3,78 €	Min.: 2 000 Daugkart.: 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL TP65H070G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 2,68 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių	Gam. dalies Nr. TP65H070G4QS-TR „Mouser“ Dalies Nr. 227-TP65H070G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Sužinokite Daugiau apie Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių	Ritė 2,68 €	Min.: 2 000 Daugkart.: 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN

TP65H035G4YS 650V SuperGaN® FET

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba