CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
4 511Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
4 825Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
4 726Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
1 183Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
1 495Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
878Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
482Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
1 368Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
613Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
3 600Tikėtina 2026-12-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
5 493Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
3 540Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement