SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

Rezultatai: 2 420
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 235 mA, 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

288 Mbit 8 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 560 mA, 840 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
144 Mbit 4 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 1 M x 72 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 540 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
37Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
1 319Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
36Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
36Tikėtina 2026-08-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Duomenų Lapas
42Tikėtina 2026-09-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 15
Daugkart.: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 5 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 16M x 18 288M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 5 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

288 Mbit 8 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 460 mA, 510 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 6 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 5 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 5 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 5 Savaičių
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 220 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 18
Daugkart.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray