DI006H03SQ

Diotec Semiconductor
637-DI006H03SQ
DI006H03SQ

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Diotec Semiconductor DI006H03SQ

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Diotec Semiconductor
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel, P-Channel
4 Channel
30 V
4.2 A, 6 A
25 mOhms, 50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V, 2 V
11.7 nC, 11.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: Diotec Semiconductor
Configuration: Quad
Rudens laikas: 8.7 ns, 13.5 ns
Tiesioginis laidumas - min: 4 S, 3.5 S
Jautrus drėgmei: Yes
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 15 ns, 4.9 ns
Serija: DI0XX
Gamyklinės pakuotės kiekis: 4000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 17.5 ns, 28.2 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 11.2 ns, 7.5 ns
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Models

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

Prieinamumas: 3 908

Turime sandėlyje:
3 908 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
10 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
2,18 € 2,18 €
1,40 € 14,00 €
0,955 € 95,50 €
0,762 € 381,00 €
0,701 € 701,00 €
0,579 € 1 158,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 4000)
0,54 € 2 160,00 €
0,525 € 4 200,00 €
24 000 Pasiūlymas

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.