FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Kvalifikacija
Pakavimas

onsemi IGBT FS3 TIGBT Excellent switching performan
Duomenų Lapas
502Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube
onsemi IGBT 600 V 80 A 79 W
Duomenų Lapas
517Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBT 650V 150A 187W
Duomenų Lapas
332Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 150 A 187 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD Tube

onsemi IGBT 650V/75A FS TRENCH IGBT
Duomenų Lapas
758Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.69 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD AEC-Q101 Tube
onsemi IGBT 650V, 60A Field Stop IGBT
Duomenų Lapas
1 075Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGA60N65SMD Tube

onsemi IGBT 650V FS3 Trench IGBT
Duomenų Lapas
553Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 40

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDT Tube

onsemi IGBT 650 V 100 A 240 W
Duomenų Lapas
81Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 340 W - 55 C + 175 C FGH50T65UPD Tube
onsemi FGH60T65SHD-F155
onsemi IGBT FS3TIGBT TO247 60A 650V
Duomenų Lapas
2 165Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 270

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 349 W - 55 C + 175 C FGH60T65SHD Tube
onsemi IGBT 650V, 40A Field Stop IGBT
Duomenų Lapas
81Prieinamumas
900Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 150

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGA40N65SMD Tube
onsemi IGBT FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
Duomenų Lapas
55Prieinamumas
450Tikėtina 2026-12-01
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGA40T65SHD Tube

onsemi IGBT 650V FS Gen3 Trench IGBT
Duomenų Lapas
105Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHDF Tube
onsemi FGH40T65SHD-F155
onsemi IGBT FS3TIGBT TO247 40A 650V
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHD Tube