Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 43.11 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVXK2TR80WDT

Mfr. #:

NVXK2TR80WDT

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFET moduliai APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Eksploatacijos Laikotarpis:

Specialus užsakymas gamykloje:

Gaukite pasiūlymą, kad patikrintumėte esamą kainą, užsakymo įvykdymo laiką ir užsakymo reikalavimus gamintojui.

Duomenų Lapas:

NVXK2TR80WDT Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVXK2TR80WDT

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	APM-32
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	4 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	20 A
RDS On - Drain-Source Varža:	116 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	82 W
Serija:	NVXK2TR80WDT
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Dual Half-Bridge
Rudens laikas:	9 ns
Aukštis:	5.8 mm
Ilgis:	44.2 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	12 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	60
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	Half-Bridge
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	12 ns
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Plotis:	29 mm

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVXK2TR80WDT Duomenų Lapas (PDF)

Material Composition Disclosure

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Kinija
Distribucijos šalis:: Pietų Korėja

Šalis gali keistis siuntimo metu.

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI

NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.

Sužinokite Daugiau

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

Features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package.

Sužinokite Daugiau

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

Contains 8mΩ, 10mΩ, 15mΩ, and 30mΩ/1200V M3S MOSFETs based on half-bridge topology.

Sužinokite Daugiau

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

Part of VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power modules for EV/HEV traction inverter applications.

Sužinokite Daugiau

NXV08H350XT1 MOSFET Module

Compactly designed, 2-phase, dual half bridge, 80V automotive power MOSFET module.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 48

Turime sandėlyje:: 48 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 45 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 48 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	43,11 €	43,11 €
	33,18 €	331,80 €
120	Pasiūlymas

NVXK2TR80WDT

Bendrinti Šį

Gam.: onsemi

Aprašymas: MOSFET moduliai APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI ONSEMI

Prieinamumas: 48

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFET moduliai APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI