{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tranzistorių tipai

Sąrašas Vaizdai

Rezultatai: 23

Taikyti filtrai:

Gaminio tipas

Technologijos

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Tranzistoriaus poliškumas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Gaminio tipas	Technologijos	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Tranzistoriaus poliškumas
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 26,02 € 1 139Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R014M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	1 139Prieinamumas	26,02 € 17,48 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,93 € 617Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG120R045M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Duomenų Lapas	617Prieinamumas	Pjaunama Juosta 11,93 € 7,27 € 6,75 € Ritė 6,38 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SiC MOSFETS		SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,42 € 368Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R140M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	368Prieinamumas	5,42 € 3,76 € 3,51 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 21,47 € 313Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R020M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R020M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	313Prieinamumas	21,47 € 16,03 € 13,86 € 13,12 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,22 € 3 851Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R220M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	3 851Prieinamumas	6,22 € 3,24 € 2,98 € 2,97 € 2,69 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,86 € 847Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R060M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	847Prieinamumas	9,86 € 7,14 € 5,94 € 5,29 € 4,95 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 28,61 € 1 280Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA120R014M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R014M1HXK NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	1 280Prieinamumas	28,61 € 20,76 € 18,40 € 18,39 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package IMZA120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,68 € 563Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA120R030M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R030M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package	Duomenų Lapas	563Prieinamumas	16,68 € 12,70 € 10,59 € 9,43 € 8,82 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	MOSFETs	Si
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,56 € 697Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA120R040M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R040M1HXK NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	697Prieinamumas	12,56 € 8,32 € 6,95 € 6,79 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,01 € 22Prieinamumas 960Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZC120R034M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R034M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	22Prieinamumas 960Pagal užsakymą	11,01 € 6,10 € 5,73 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 48,03 € 298Prieinamumas 240Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R007M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R007M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	298Prieinamumas 240Pagal užsakymą	48,03 € 40,97 € 33,80 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,15 € 239Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R030M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	239Prieinamumas	16,15 € 12,30 € 10,25 € 9,13 € 7,76 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,95 € 884Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R090M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	884Prieinamumas	7,95 € 4,26 € 3,92 € 3,73 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,16 € 10Prieinamumas 2 640Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R040M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R040M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	10Prieinamumas 2 640Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMW120R040M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 10 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2026-12-10 240 Tikėtina 2027-09-16 2 160 Tikėtina 2027-10-14 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	12,16 € 9,26 € 7,71 € 6,87 € 6,42 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,53 € 27Prieinamumas 1 920Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R060M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	27Prieinamumas 1 920Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMW120R060M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 27 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 720 Laukiama 1 200 Tikėtina 2026-11-19 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	9,53 € 6,73 € 5,62 € 5,00 € 4,67 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,12 € 63Prieinamumas 960Tikėtina 2026-12-10 NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R350M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	63Prieinamumas 960Tikėtina 2026-12-10	6,12 € 4,01 € 2,96 € 2,62 € 2,32 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,03 € 19Prieinamumas 2 160Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R220M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	19Prieinamumas 2 160Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZ120R220M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 19 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 960 Tikėtina 2027-03-25 1 200 Tikėtina 2027-04-01 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	7,03 € 4,70 € 3,78 € 3,35 € 2,98 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,15 € 179Prieinamumas 240Tikėtina 2027-01-28 NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R350M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Duomenų Lapas	179Prieinamumas 240Tikėtina 2027-01-28	6,15 € 4,11 € 3,31 € 2,93 € 2,60 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,94 € 2 160Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R030M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	2 160Pagal užsakymą	15,94 € 12,14 € 10,12 € 9,01 € 8,42 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 48,43 € 1 742Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMZA120R007M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R007M1HXK NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	1 742Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZA120R007M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 542 Tikėtina 2027-01-28 480 Tikėtina 2027-09-16 720 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	48,43 € 41,31 € 34,07 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 240	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 20,47 € 477Prieinamumas 2 400Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMZA120R020M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R020M1HXK NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	477Prieinamumas 2 400Pagal užsakymą	20,47 € 16,39 € 14,17 € 13,42 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,12 € 978Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R140M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	978Pagal užsakymą	7,12 € 4,39 € 4,06 € 3,23 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,39 € 230Tikėtina 2027-10-28 NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R090M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	230Tikėtina 2027-10-28	8,39 € 4,52 € 4,17 € 4,01 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Tranzistorių tipai

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

Bendrinti Šį

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Tranzistorių tipai

Taikyti filtrai: