Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Tranzistorių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 101
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor NPN 800V 5A 3 585Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-N-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V 105 662Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT SSM PLN TRANSISTOR, Pd=100mW, F=80MHz 258 374Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 145 503Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT CST-3 PNP

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A 5 949Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 NPN, PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6 2 970Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A 8 680Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 8 002Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 2 812Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS NPN SOT323 50V 6 264Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 8 292Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans 463Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-416-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 92Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-08-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA 666Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans 16 654Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV 245Prieinamumas
3 000Tikėtina 2027-01-01
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMV-5 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz 5 759Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 4 881Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Small Signal Amp 14 018Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V 10 644Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V 70 118Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 108 400Prieinamumas
30 000Tikėtina 2026-08-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 3 031Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Epitaxial Transistor 69 174Prieinamumas
60 000Tikėtina 2026-08-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2 374Prieinamumas
2 825Tikėtina 2026-11-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN