{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

Pasirinkite	Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	RoHS	Gaminio tipas	Technologijos	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Tranzistoriaus poliškumas
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,95 € 884Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R090M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	884Prieinamumas	7,95 € 4,26 € 3,92 € 3,73 €	Min.: 1 Daugkart.: 1		SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
	IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies 1: 5,50 € 1 430Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IKW50N65ET7XKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IKW50N65ET7XKSA1	Infineon Technologies	IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon low loss duopack igbts	Duomenų Lapas	1 430Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IKW50N65ET7XKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 950 Tikėtina 2027-01-28 480 Tikėtina 2027-07-01 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 36 Savaičių	5,50 € 3,11 € 2,46 € 2,34 € 2,17 €	Min.: 1 Daugkart.: 1		IGBTs	Si	Through Hole	TO-247-3

Tranzistorių tipai