„Incoterms“:DDP Visos kainos nurodytos su pasirinktų siuntimo metodų muito mokesčiais.
Patvirtinkite pasirinktą valiutą:
Eurai Nemokamas siuntimas daugumai užsakymų, kurių vertė viršija 75 € (EUR).
JAV doleriai Nemokamas siuntimas daugumai užsakymų, kurių vertė viršija $90 (USD).
Vaizdai skirti tik iliustracijai Žr. produkto specifikacijas
Bendrinti Šį
Šiuo metu nuorodos sukurti nepavyko. Pabandykite dar kartą.
AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.