„Incoterms“:DDP Visos kainos nurodytos su pasirinktų siuntimo metodų muito mokesčiais.
Patvirtinkite pasirinktą valiutą:
Eurai Nemokamas siuntimas daugumai užsakymų, kurių vertė viršija 75 € (EUR).
JAV doleriai Nemokamas siuntimas daugumai užsakymų, kurių vertė viršija $90 (USD).
Vaizdai skirti tik iliustracijai Žr. produkto specifikacijas
Bendrinti Šį
Šiuo metu nuorodos sukurti nepavyko. Pabandykite dar kartą.
SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs
Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low RDS(on). These power MOSFETs offer 30V VDS and very low RDS x Qg Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A ID and 19.9nC Qg. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A ID and 21nC Qg. This 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.