{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 8

Taikyti filtrai:

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Qg – vartų krūvis

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 IMZC120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 19,05 € 957Prieinamumas 2 160Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZC120R017M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R017M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	957Prieinamumas 2 160Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R017M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 957 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 720 Tikėtina 2027-01-28 1 440 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	19,05 € 14,23 € 12,30 € 11,64 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	97 A	17 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	382 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 14,05 € 530Prieinamumas 2 160Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZC120R026M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R026M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	530Prieinamumas 2 160Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R026M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 530 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 720 Tikėtina 2027-01-28 1 440 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	14,05 € 10,70 € 8,92 € 7,94 € 7,42 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	69 A	25 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,05 € 1 519Prieinamumas 240Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZC120R040M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R040M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 519Prieinamumas 240Pagal užsakymą	11,05 € 7,99 € 6,66 € 5,92 € 5,54 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	48 A	40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 IMZC120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,17 € 374Prieinamumas 480Tikėtina 2026-12-14	Gam. dalies Nr. IMZC120R053M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R053M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	374Prieinamumas 480Tikėtina 2026-12-14	9,17 € 4,99 € 4,61 € 4,60 € 4,48 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	38 A	53 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 IMZC120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 25,42 € 53Prieinamumas 3 360Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZC120R012M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R012M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	53Prieinamumas 3 360Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R012M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 53 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2026-12-03 240 Tikėtina 2026-12-11 1 440 Tikėtina 2027-01-07 1 440 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	25,42 € 20,35 € 17,60 € 16,66 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	12 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C		Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,37 € 22Prieinamumas 1 440Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZC120R034M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R034M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	22Prieinamumas 1 440Pagal užsakymą	11,37 € 6,30 € 5,91 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A		- 10 V, + 25 V	5.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	244 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 IMZC120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,90 € 2 710Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZC120R022M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R022M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 710Pagal užsakymą	16,90 € 12,88 € 10,73 € 9,55 € 8,93 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	80 A	22 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 IMZC120R078M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,18 € 2 860Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZC120R078M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R078M2HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 860Pagal užsakymą	8,18 € 5,59 € 4,61 € 4,10 € 3,84 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	28 A	78 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	CoolSiC

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

Bendrinti Šį

Taikyti filtrai: