RFxL RF Power LDMOS Transistors

STMicroelectronics RFxL RF Power LDMOS Transistors offer high-performance intended for multiple applications with different frequency bands. The RFxL RF Power Transistors are available in B4E, B2, and LBB packages.

Rezultatai: 4
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Tranzistoriaus poliškumas
Technologijos
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
RDS On - Drain-Source Varža
Darbinis Dažnis
Gain
Išvesties Galia
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Duomenų Lapas
110Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RD MOSFET tranzistoriai 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel