Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Rezultatai: 271
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai 100V Input 12V 60mA 3V 0.05A 45dB 0.24mA 13 665Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 810
: 2 500

Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA 11 164Prieinamumas
17 000Tikėtina 2026-11-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai 100V Input 5V 50mA 0.05A 5V 57dB 0.3mA 4 030Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 280
: 2 500

Diodes Incorporated Gate Tvarkyklės HV Gate Driver 1 479Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Gate Tvarkyklės HV Gate Driver 2 059Prieinamumas
2 500Tikėtina 2027-04-14
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Gate Tvarkyklės HV Gate Driver 113Prieinamumas
35 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Gate Tvarkyklės HV Gate Driver 1 828Prieinamumas
2 500Tikėtina 2027-02-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 110
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 2 425Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A 88Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 762Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 2 077Prieinamumas
4 000Tikėtina 2026-12-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 230
: 2 000
Diodes Incorporated MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 1 384Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 1 868Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 2 349Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 340
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 17Prieinamumas
2 000Tikėtina 2027-08-25
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 2 936Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 1 410Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 465Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-08-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 2 544Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 276Prieinamumas
21 000Tikėtina 2027-03-12
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 290
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 927Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 354Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 739Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 375Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 2 425Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000