OptiMOS™ Linear FETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Linear FET is a solution to avoid the trade-off between on-state resistance RDS(on) and linear mode capability operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. The devices feature the state-of-the-art RDS(on) of a trench MOSFET and a classic planar MOSFET's wide, safe operating area. The OptiMOS Linear FET prevents damage at the load by limiting high in-rush currents.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS 8 838Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-11-05
Pjaunama Juosta
7,11 €
3,84 €
3,53 €
3,21 €
Ritė
3,04 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 6 704Prieinamumas
8 590Tikėtina 2026-10-19
Pjaunama Juosta
7,20 €
3,96 €
3,65 €
3,58 €
Ritė
3,38 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 3.9 mOhms 20 V 3.3 V 84 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel