CGHV35400F1 MACOM | Mouser Lietuva

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
Siuntimo apribojimai:	Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	440225
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	125 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	24 A
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Prekės Ženklas:	MACOM
Gain:	11 dB
Didžiausias darbinis dažnis:	3.5 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	2.9 GHz
Išvesties Galia:	400 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	- 10 V, 2 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CGHV35400F1 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

MACOM CGHV35400F 400W 2.9GHz to 3.5GHz, 50Ω I/O Matched GaN HEMT for S-Band radar amplifier applications offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities. The CGHV35400F transistor is matched to 50Ω on the input and 50Ω on the output.