IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

Rezultatai: 44
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
1 708Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
836Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
Duomenų Lapas
27Prieinamumas
240Tikėtina 2026-10-22
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
432Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
95Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
475Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
81Prieinamumas
3 360Tikėtina 2027-08-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
3 119Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Duomenų Lapas
22Prieinamumas
480Tikėtina 2026-10-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
120Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
1 200Tikėtina 2027-01-07
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Duomenų Lapas
865Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
1 216Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
460Tikėtina 2026-10-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2026-11-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 427 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2026-10-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2027-03-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube