950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

Rezultatai: 10
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 782Prieinamumas
12,96 €
7,29 €
7,07 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 1 835Prieinamumas
Pjaunama Juosta
3,56 €
1,81 €
1,64 €
1,37 €
Ritė
1,29 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 712Prieinamumas
3,02 €
1,51 €
1,37 €
1,10 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 613Prieinamumas
6,10 €
3,45 €
3,17 €
2,93 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 1 189Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-11-30
Pjaunama Juosta
6,48 €
3,48 €
3,19 €
3,05 €
Ritė
2,88 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 1 132Prieinamumas
Pjaunama Juosta
3,17 €
1,60 €
1,44 €
1,18 €
Ritė
1,10 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 3 695Prieinamumas
3,59 €
1,78 €
1,62 €
1,34 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 49Prieinamumas
500Pagal užsakymą
6,48 €
3,47 €
3,18 €
2,88 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 490Prieinamumas
Pjaunama Juosta
2,82 €
1,41 €
1,27 €
1,03 €
1,01 €
Ritė
0,937 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 379Prieinamumas
3,56 €
1,81 €
1,64 €
1,33 €
1,32 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube